| Влияние радиационно-термического воздействия на фотолюминесценцию GaAs:Te | |
| Надежда Александровна Семиколенова 1, Надим Анварович Давлеткильдеев 2, Вера Александровна Богданова 3, Виктор Иванович Дубовик 4 | |
| 1.1Омский государственный университет | |
| Дата поступления 1997.04.12 | Аннотация. Photoluminescence (PL) of gamma-irradiated GaAs:Te single crystals with free carriers concentration n0=(1,2 ÷ 4,5) 10ⁱ⁸см⁻³ has been investigated. At the certain irradiation dozes a change of impurity PL band and edge PL band positions has been found. The observated changes are explained on the basis of irradiation-stimulated ordering of the impurity centers. |
| Ключевые слова физика | |
Библиография [1] Глинчук К.Д., Лукат К., Прохорович А.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1982. Вып.1. С.39-54. [2] Богданова В.А., Семиколенова Н.А. // ФТП. 1992. Т.26. Вып.5. С.818. [3] Глинчук К.Д., Коваленко В.Ф., Прохорович А.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1991. Вып.2. С.46-50. [4] Сангвал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент и применение. М.: Мир, 1990. 496 с. [5] Prudnikov V.V., Prudnikova I.A., and Semikolenova N.A. // Phys. Stat. Sol.(b) 1994. V.181. P.87-96. [6] Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с. [7] Точечные дефекты в твердых телах: Сб. статей: Пер. с англ. М.: Мир, 1979. 379 с. [8] Pons D., Bourgoin J. // Phys. Rev. Lett. 1981. V.47. N18. P.1293-1296. [9] Loualishe S., Guillot A. // Phys. Rev. Lett. 1982. V.26. N12. P.7090-7092. [10] Вовненко В.И., Глинчук К.Д., Лукат К. // ФТП. 1980. Т.14. Вып.9. С.1834-1836. [11] Fewster P.F. // J. Phys. Chem. Sol. 1981. V.42. N10. P.883-889. | |
Сведения о финансировании и благодарности | |
| Влияние радиационно-термического воздействия на фотолюминесценцию GaAs:Te | |
| Надежда Александровна Семиколенова 1, Надим Анварович Давлеткильдеев 2, Вера Александровна Богданова 3, Виктор Иванович Дубовик 4 | |
| 1.1Omsk State University | |
| Received 1997.04.12 | Abstract. Photoluminescence (PL) of gamma-irradiated GaAs:Te single crystals with free carriers concentration n0=(1,2 ÷ 4,5) 10ⁱ⁸см⁻³ has been investigated. At the certain irradiation dozes a change of impurity PL band and edge PL band positions has been found. The observated changes are explained on the basis of irradiation-stimulated ordering of the impurity centers. |
| Keywords physics | |
References [1] Глинчук К.Д., Лукат К., Прохорович А.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1982. Вып.1. С.39-54. [2] Богданова В.А., Семиколенова Н.А. // ФТП. 1992. Т.26. Вып.5. С.818. [3] Глинчук К.Д., Коваленко В.Ф., Прохорович А.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1991. Вып.2. С.46-50. [4] Сангвал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент и применение. М.: Мир, 1990. 496 с. [5] Prudnikov V.V., Prudnikova I.A., and Semikolenova N.A. // Phys. Stat. Sol.(b) 1994. V.181. P.87-96. [6] Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с. [7] Точечные дефекты в твердых телах: Сб. статей: Пер. с англ. М.: Мир, 1979. 379 с. [8] Pons D., Bourgoin J. // Phys. Rev. Lett. 1981. V.47. N18. P.1293-1296. [9] Loualishe S., Guillot A. // Phys. Rev. Lett. 1982. V.26. N12. P.7090-7092. [10] Вовненко В.И., Глинчук К.Д., Лукат К. // ФТП. 1980. Т.14. Вып.9. С.1834-1836. [11] Fewster P.F. // J. Phys. Chem. Sol. 1981. V.42. N10. P.883-889. | |
Acknowledgements | |
| Сведения об авторах Надежда Александровна Семиколенова 1.1 Надим Анварович Давлеткильдеев 2.1 Вера Александровна Богданова 3.1 Виктор Иванович Дубовик 4.1 |
| About the authors Надежда Александровна Семиколенова 1.1 Надим Анварович Давлеткильдеев 2.1 Вера Александровна Богданова 3.1 Виктор Иванович Дубовик 4.1 |
